| 特許番号 | 発明の名称 | |
| 1 | 特願昭55-132714 | III-V族化合物結晶用化学エッチングﾞ液 |
| 2 | 特願昭56-18962 | III-V族化合物結晶用化学エッチング液 |
| 3 | 特願昭56-43637 | 半導体レーザﾞの製法 |
| 4 | 特願昭56-138327 | 半導体素子 |
| 5 | 特願昭56-174181 | 光集積回路の製造方法 |
| 6 | 特願昭57-22111 | 半導体光源 |
| 7 | 特願昭57-22112 | 電界効果トランジスタ |
| 8 | 特願昭57-22113 | 電界効果トランジスタ |
| 9 | 特願昭57-22114 | シリコン単結晶 |
| 10 | 特願昭57-53277 | III-V族化合物半導体装置 |
| 11 | 特願昭57-53278 | 電界効果トランジスタ |
| 12 | 特願昭57-53279 | 半導体光導波路装置 |
| 13 | 特願昭57-53280 | 半導体受光素子 |
| 14 | 特願昭57-53281 | 電界効果トランジスタ |
| 15 | 特願昭57-53282 | 半導体受光素子 |
| 16 | 特願昭57-193024 | 電界効果トランジスタ及びその製法 |
| 17 | 特願昭58-63630 | III-V族化合物結晶用化学エッチング液 |
| 18 | 特願昭59-57989 | ショットキー接合型電界効果トランジスタ及びその製法 |
| 19 | 特願昭59-149684 | タングステン金属のドライエッチング法 |
| 20 | 特願昭59-170309 | 高融点金属のドライエッチング法 |
| 21 | 特願昭59-176284 | タングステン・スパッタ膜の製造方法 |
| 22 | 特願昭59-215224 | 超格子ＰＢＴ |
| 23 | 特願昭59-215225 | 超格子ＰＢＴ |
| 24 | 特願昭59-215877 | 電界効果トランジスタ及びその製法 |
| 25 | 特願昭60-193624 | バイポーラトランジスタ及びその製法 |
| 26 | 特願昭60-253075 | 電界効果トランジスタ |
| 27 | 特願昭61-116195 | 横形バイポーラトランジスタの製法 |
| 28 | 特願昭61-119075 | 横形バイポーラトランジスタの製造方法 |
| 29 | 特願昭61-131253 | トランジスタの製造方法 |
| 30 | 特願昭62-112397 | イオン注入によるp型導電領域の形成方法 |
| 31 | 特願昭63-27138 | 横形バイポーラトランジスタの製造方法 |
| 32 | 特願昭63-26877 | トランジスタの製法 |
| 33 | 特願昭63-35101 | 横型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| 34 | 特願昭63-35102 | 横型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| 35 | 特願昭63-38604 | 横型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| 36 | 特願昭63-38605 | 横型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| 37 | 特願昭63-43771 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ半導体装置の表面保護法 |
| 38 | 特願昭63-37084 | ヘテロ接合界面電荷補償方法 |
| 39 | 特願昭63-101973 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製法 |
| 40 | 特願2004-331166 | 多孔質半導体膜の形成方法、発光素子、及び光学センサ |
| 41 | 特願2006-131763 | 多孔質シリコン膜及びその製造方法並びに半導体発光素子 |
| 42 | 特願2007-083979 | 多孔性シリコン基板およびこれを利用する発光素子並びにそれらの製造方法 |
| 43 | 特願2008-076929 | 蛍光体及びその製造方法 |
| 44 | 特願2008-267596 | 蛍光体の製造方法及び該方法により得られた蛍光体を用いた白色発光ダイオード |
| 45 | PCT/JP2009/055622 | Fluorescent material, process for producing the same, and white-light-emitting diode employing the fluorescent material(国際特許) |