3 新しい光デバイス

A ZnSe可視発光ダイオード

 修士課程での研究テーマとして、Pイオン注入ZnSeでの可視発光ダイオードの試作に成功した。図1にそのスペクトルを示す。順方向では緑の発光帯が、逆方向では赤オレンジの発光帯が最大強度として観測された。

図1.Pイオン注入ZnSe発光ダイオードの発光スペクトル
   (From S. Adachi & Y. Machi, Jpn. J. Appl. Phys. 15, p.1513, 1976)



B InGaAsP/InP系光通信用半導体レーザ

 NTT電気通信研究所入社後2年間は半導体レーザの研究に従事した。光集積デバイスの実現を目指し、その第一ステップとして、エッチ共振器半導体レーザの開発に着手した。ユニークな幾つかの方法を提案し論文にまとめたが、その一例の、埋め込み型レーザのエッチ共振器構造を図2aに、測定したレーザのI-L特性と発振スペクトルを図2bに示す。

図2a.InGaAsP/InPエッチ共振器半導体レーザ構造
    (From S. Adachi et al., J. Appl. Phys. 52, p.5843, 1981)


図2b.InGaAsP/InPエッチ共振器半導体レーザのI-L特性と発振スペクトル
    (From S. Adachi et al., J. Appl. Phys. 52, p.5843, 1981)

以上


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