A 共鳴ブリルアン散乱
B バリスティック(弾道)輸送現象
C 半導体の物性物理
A II−VI族化合物半導体へのイオン注入技術
B 半導体のエッチング技術
C III-V族化合物半導体へのイオン注入技術
D 高融点金属Wのスッパッタ堆積、エッチング技術
A ZnSe可視発光ダイオード
B InGaAsP/InP系光通信用半導体レーザ
A パーミアブル・ベースTr(PBT)
B ヘテロ接合バイポーラTr
A InSb/サファイア ヘテロ成長
B Si/Si ホモ成長
A MDF理論
B エリプソメータ測定
A ポーラスSi & 化合物半導体の作製と物性
B Siナノワイヤの作製と物性
A フッ化物系蛍光体
B 酸化物系蛍光体
9 その他
A 湯けむりシリーズ
A-1 草津温泉(群馬県)水によるGaAsの化学エッチング
B エネルギーバンド構造理論に立脚した光学分散理論
A-2 天恵泉(山梨県)水による可視発光ポーラスSiの作製
A-3 玉川温泉(秋田県)水によるInPの化学エッチング