A　InSb/サファイア ヘテロ成長
　[宮崎助教授の博士学位論文テーマ]　スパッタリングによるエピタキシャル成長は極めて珍しい。スパッタリングでの基板クリーニングが困難なことを克服するため、酸化膜基板のサファイアを採用した。もくろみは見事に当り、エピタキシャル成長が成功した。図1は、その試料のSEM写真である。表面が若干荒れているが、2次元的エピタキシャル成長が伺える。

図1．サファイア基板上InSbのヘテロエピタキシャル成長
　　　(From T. Miyazaki et al., Appl. Phys. Lett. 58, p.116, 1991)

B　Si/Si ホモ成長
　[宮崎助教授の博士学位論文テーマ]　水素終端Siの利用により、Si/Siのスパッタリングによる低温でのホモエピタキシャル成長に成功した。基板温度は400度と非常に低く、今後のスパッタ堆積技術の進展に大きなインパクトを与えた。エピ結晶はSEや、SEM、X線回折、AFM等で評価している。図2は、Si/Siホモ成長の発表論文の一部分コピーである。

図2．Si/Siホモ成長発表論文の一部分コピー
　　　(From T. Miyazaki & S. Adachi, J. Appl. Phys. 72, p.5471, 1992)

以上